半导体硅材料的带隙为1.12电子伏特；因此，硅对1310纳米和1550纳米通信波段的光是透明的。尽管硅光电探测器在实验室和各种应用中被广为使用，但它们通常不能探测1310纳米和1550纳米通信波段的光。

我们小组近期在Optics Letters [46, 2577-2580 (2021)] 期刊上发表了题为《Infrared photoconductor based on surface-state absorption in silicon》的论文，利用半导体表面态吸收(SSA)效应和锁相读出，实现了工作在1310纳米和1550纳米通信波段的垂直入射硅光电探测器，并演示了在成像和光束表征方面的应用。因为SSA是一种很弱的光吸收效应，在探测过程中入射光几乎没有耗散，是非侵入式的光电探测器。

论文链接如下：https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?uri=ol-46-11-2577